CY7C1041GN-10ZSXI

CY7C1041GN-10ZSXI es una RAM estática rápida CMOS de alto rendimiento organizada como 256K palabras de 16 bits. Las escrituras de datos se realizan afirmando las entradas de habilitación del chip y habilitación de escritura en BAJAS, mientras se proporcionan los datos en I/O0 a I/O15 y la dirección en los pines A0 a A17. Las entradas de habilitación de byte alto y habilitación de byte bajo controlan las operaciones de escritura en los bytes superiores e inferiores de la ubicación de memoria especificada. Los controles BHE activos bajos de I/O8 a I/O15 y los controles BLE activos bajos de I/O0= a I/O7. Las lecturas de datos se realizan afirmando las entradas de habilitación de chip y habilitación de salida en BAJAS y proporcionando la dirección requerida en las líneas de dirección. Los datos de lectura son accesibles en las líneas de E/S (E/S0 a E/S15). Los accesos a bytes se pueden realizar activando la señal de habilitación de bytes requerida (BHE o BLE bajo activo) para leer el byte superior o el byte inferior de datos desde la ubicación de dirección especificada.

• Alta velocidad tAA=10ns
• Corrientes bajas activas y en espera corriente activa: ICC = 38mA típica, corriente en espera: ISB2 = 6mA típica
• Rango de voltaje de de 4.5V a 5.5V
• La ICC operativa es de 38mA típica a f = fmax
• Retención de datos de 1V
• Entradas y salidas compatibles con TTL
• Rango de temperatura de -40 a 85°C
• Tecnología de proceso de 65nm
• Disponible en un paquete TSOP-II de 44 pines