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CY7C1041GE30-10ZSXI
SRAM, 4MBIT, -40 A 85°C
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY7C1041GE30-10ZSXICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark62AK5237
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.840 |
| 10+ | $9.150 |
| 25+ | $8.870 |
| 50+ | $8.650 |
| 100+ | $8.510 |
| 250+ | $8.350 |
| 500+ | $8.150 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$9.84
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY7C1041GE30-10ZSXICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark62AK5237
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria4Mbit
Configuración de Memoria256Kword x 16bit
Tensión de Alimentación, Rango0
Estuche / Paquete CITSOP-II
Memoria, Tipo0
No. de Pines44Pines
Tensión de Alimentación Mín.3.6V
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Máx.2.2V
Tensión de Alimentación Nom.3V
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El CY7C1041GE30-10ZSXI es un dispositivo de RAM estática rápida CMOS de alto rendimiento con ECC integrado. Esto ofrece una opción de habilitación de un solo chip y configuraciones de múltiples pines. El dispositivo CY7C1041GE incluye un pin ERR que señal
- Alta velocidad tAA = 10ns, rango de voltaje de 2.2V a 3.6V, densidad de 4Mbit
- TSOP II de 44 pines, tecnología de proceso = 65nm, ancho de datos: 1 = × 16-bits
- Indicación de error de un solo bit en la salida ERR
- Corriente activa: ICC = 38mA típico, corriente en espera: ISB2 = 6mA típico
- Retención de datos de 1.0V, entradas y salidas compatibles con TTL.
- Pin de indicación de error (ERR) para indicar la detección y corrección de errores de 1 bit
- Rango de temperatura de funcionamiento industrial: de -40 °C a +85 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Configuración Memoria SRAM
0
Configuración de Memoria
256Kword x 16bit
Estuche / Paquete CI
TSOP-II
No. de Pines
44Pines
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
3V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tamaño de la Memoria
0
Densidad de Memoria
4Mbit
Tensión de Alimentación, Rango
0
Memoria, Tipo
0
Tensión de Alimentación Mín.
3.6V
Tensión de Alimentación Máx.
2.2V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto