CY7C1041G30-10ZSXI

El CY7C1041G30-10ZSXI es un dispositivo de RAM estática rápida CMOS de alto rendimiento con ECC integrado. Incluye un pin ERR que señala un evento de detección y corrección de errores durante un ciclo de lectura. Las escrituras de datos se realizan afirmando las entradas de habilitación de chip (CE activo bajo) y habilitación de escritura (WE activo bajo) en BAJA, mientras se proporcionan los datos en I/O0 a I/O15 y la dirección en los pines A0 a A17. Las lecturas de datos se realizan afirmando las entradas de habilitación de chip (CE activo bajo) y habilitación de salida (OE activo bajo) en BAJA y proporcionando la dirección requerida en las líneas de dirección. La detección y corrección de un error de un solo bit en la ubicación accedida se indica mediante la afirmación de la salida ERR (ERR=HIGH).

• ECC integrado para corrección de errores de un solo bit
• La corriente activa ICC es de 38mA típica
• La corriente de espera ISB2 es de 6mA típica
• Retención de datos de 1.0V
• Entradas y salidas compatibles con TTL
• Pin de indicación de error (ERR) para indicar la detección y corrección de errores de 1 bit
• Rango de voltaje de 2.2V a 3.6V
• Alta velocidad, tAA=10ns
• Paquete TSOP II de 44 pines
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C