CY62167EV18LL-55BVXI

CY62167EV18LL-55BVXI es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada en 1 millón de palabras por 16 bits. Este dispositivo cuenta con un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar mayor duración de la batería (MoBL®) en aplicaciones portátiles como teléfonos celulares. Este dispositivo también cuenta con una función de apagado automático que reduce el consumo de energía en un 99% cuando no se cambian las direcciones IP. Coloque el dispositivo en modo de espera cuando no esté seleccionado (CE1 ALTO activo bajo o CE2 BAJO o tanto BHE activo bajo como BLE activo bajo están ALTOS). Los pines de entrada y salida (E/S0 a E/S15) se colocan en un estado de alta impedancia cuando: el dispositivo está deseleccionado (CE1 ALTO o CE2 BAJO activo); las salidas están deshabilitadas (OE ALTO activo); tanto la habilitación de byte alto como la habilitación de byte bajo están deshabilitadas (BHE activo bajo, BLE ALTO activo bajo); y hay una operación de escritura en curso (CE1 BAJO activo bajo, CE2 ALTO y WE BAJO activo bajo).

• El rango de VCC es típico de 1.8V, densidad de 16Mbit, ancho de bus de 16, velocidad de 55ns.
• Fácil expansión de memoria con funciones CE1, CE2 y OE de nivel activo bajo
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• CMOS para una velocidad y potencia óptimas
• La corriente de fuga de entrada es de +1µA máximo en (GND <lt/> VI <lt/> VCC)
• La corriente de suministro operativo VCC es de 25mA típica en (f = fmax = 1/tRC)
• La corriente de fuga de salida es de +1 µA máximo a (GND <lt/> VO <lt/> VCC)
• La capacitancia de entrada es de 10pF como máximo a (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = VCC)
• Corriente típica de apagado automático de 1.5µA: entradas CMOS en (CE1 activo bajo <gt/> VCC – 0.2V o CE2 <lt/> 0.2V)
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C, paquete VFBGA de 48 pines