CY62167ELL-45ZXI

CY62167ELL-45ZXI es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 1M de palabras por 16 bits/2M de palabras por 8 bits. Este dispositivo presenta un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar mayor duración de la batería (MoBL®) en aplicaciones portátiles. Este dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce el consumo de energía cuando las direcciones no están cambiando. Para escribir en el dispositivo, tome las habilitaciones de chip (CE1 activo bajo BAJO y CE2 ALTO) y la entrada de habilitación de escritura (WE activo bajo) BAJA. Si el byte de habilitación baja (BLE activo bajo) es BAJO, entonces los datos de los pines de E/S (E/S0 a E/S7) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (A0 a A19). Si el byte de habilitación alta (BHE activo-bajo) es BAJO, entonces los datos de los pines de E/S (E/S8 a E/S15) se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección (A0 a A19).

• Amplio rango de voltaje de 4.5V a 5.5V
• Fácil expansión de memoria con funciones CE1, CE2 y OE de nivel activo bajo
• Apagado automático cuando no está seleccionado, CMOS para una velocidad y potencia óptimas
• Familia de SRAM MoBL, densidad de 16 Mbit, ancho de bus de 16, tecnología de proceso de 90 nm
• Velocidad de 45ns, capacitancia de entrada máxima de 10pF a (TA = 25 °C)
• La corriente de fuga de entrada es de +1µA máximo en (GND <lt/> VI <lt/> VCC)
• La corriente de fuga de salida es de +1 µA máximo a (GND <lt/> VO <lt/> VCC)
• La corriente de suministro operativo VCC es de 25mA típica en (f = fMAX = 1/tRC)
• Corriente de apagado automático de 1.5µA en entradas CMOS a (CE1 activo bajo <lt/> VCC – 0.2V o CE2<lt/> 0.2V)
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C, paquete TSOP de 48 pines