CY62157EV30LL-45ZSXI

La CY62157EV30LL-45ZSXI es una RAM estática CMOS de alto rendimiento de 8Mb organizada como 512K palabras de 16 bits. Este dispositivo presenta un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar mayor duración de la batería (MoBL®) en aplicaciones portátiles como teléfonos celulares. El dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando las direcciones no están cambiando. Coloque el dispositivo en modo de espera cuando no esté seleccionado. Los pines de entrada o salida se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado, las salidas están deshabilitadas, la habilitación de byte alto y la habilitación de byte bajo están deshabilitadas o una operación de escritura está activa. Para escribir en el dispositivo, coloque las entradas de habilitación de chip y habilitación de escritura en BAJAS. Si la habilitación del byte bajo es BAJA, entonces los datos de los pines de E/S se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección. Si la habilitación del byte alto es BAJA, entonces los datos de los pines de E/S se escriben en la ubicación especificada en los pines de dirección.

• Pin Compatible con CY62157DV30
• Consumo de energía en modo de espera ultrabaja
• Potencia activa ultrabaja
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• CMOS para una velocidad/potencia óptimas