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CY62157ELL-55ZSXE
SRAM, SRAM asíncrona, 8 Mbit, 512K x 16bit, TSOP, 44 Pines, 4.5 V
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62157ELL-55ZSXECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark86AK7321
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $12.730 |
| 10+ | $12.320 |
| 25+ | $12.030 |
| 50+ | $11.640 |
| 100+ | $11.250 |
| 250+ | $11.030 |
| 500+ | $10.810 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62157ELL-55ZSXECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark86AK7321
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Densidad de Memoria8
Configuración de Memoria512K x 16bit
Estuche / Paquete CITSOP
No. de Pines44Pines
Tensión de Alimentación Mín.4.5
Tensión de Alimentación Máx.5.5
Tensión de Alimentación Nom.5
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.125
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY62157ELL-55ZSXE es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 512K palabras por 16 bits. Este dispositivo cuenta con un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar más vida
- Consumo de energía en modo de espera ultrabaja
- Fácil expansión de memoria con funciones CE1, CE2 y OE de nivel activo bajo
- Apagado automático cuando no está seleccionado
- CMOS para una velocidad y potencia óptimas
- Rango de VCC: de 4.5 a 5.5V; disipación de potencia típica: 1.8mA (f = 1 MHz); en espera, ISB2: 2µA. Típ.
- La capacitancia de entrada es de 10 pF máximo (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = VCC (típico)).
- Capacitancia de salida: 10pF máxima (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = VCC(típ.))
- Rango de corriente de fuga de entrada de -4 a +4µA (GND <lt/> VI <lt/> VCC)
- Corriente de fuga de salida: rango de -4 a +4 µA (GND <lt/> VO <lt/> VCC, salida desactivada).
- Encapsulado TSOP Tipo II de 44 pines, rango de temperatura de -40 °C a +12 °C (Automotive-E)
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Configuración de Memoria
512K x 16bit
No. de Pines
44Pines
Tensión de Alimentación Máx.
5.5
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
8
Estuche / Paquete CI
TSOP
Tensión de Alimentación Mín.
4.5
Tensión de Alimentación Nom.
5
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto