Imprimir página
CY62148EV30LL-45BVXI
SRAM, SRAM asíncrona, 4 Mbit, 512K x 8bit, VFBGA, 36 Pines, 2.2 V
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
1,461 En Inventario
¿Necesita más?
44 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
1417 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $4.330 | $4.230 |
| 10+ | $4.150 | $4.150 |
| 25+ | $4.060 | $4.060 |
| 50+ | $3.690 | $3.690 |
| 100+ | $3.590 | $3.590 |
| 250+ | $3.540 | $3.540 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.23
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62148EV30LL-45BVXI
No. Parte Newark99Y7900
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMSRAM asíncrona
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria4
Configuración de Memoria512K x 8bit
Tensión de Alimentación, Rango0
Estuche / Paquete CIVFBGA
Memoria, Tipo0
No. de Pines36Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.2
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY62148EV30LL-45BVXI es una memoria RAM estática. Este dispositivo presenta un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar más vida útil de la batería™ (MoBL®) en aplicaciones portátiles co
- Densidad de 4Mbit, ancho de bus × 8, tecnología de proceso de 90nm, voltaje típico de 3V.
- Bajo consumo de energía, velocidad de 45ns
- Velocidad muy alta de 45ns, amplio rango de voltaje de 2.20V a 3.60V.
- Compatible con pines del CY62148DV30, consumo de energía en modo de espera ultrabajo.
- Corriente de espera típica de 2.5µA, corriente de espera máxima de 7µA (industrial).
- Consumo de energía activa ultrabaja: 3,5 mA a f = 1 MHz (corriente activa típica).
- Fácil expansión de memoria con funciones CE (activo alto) y OE (activo alto)
- Apagado automático cuando no está seleccionado
- Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
- Encapsulado VFBGA de 36 bolas, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
SRAM asíncrona
Configuración Memoria SRAM
0
Configuración de Memoria
512K x 8bit
Estuche / Paquete CI
VFBGA
No. de Pines
36Pines
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Densidad de Memoria
4
Tensión de Alimentación, Rango
0
Memoria, Tipo
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.2
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto