CY62146EV30LL-45ZSXIT

CY62146EV30LL-45ZSXIT es una RAM estática CMOS de alto rendimiento de 4Mbit (256 K × 16) organizada como 256 K palabras por 16 bits. Este dispositivo cuenta con un diseño de circuito avanzado diseñado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. La corriente activa ultrabaja es ideal para proporcionar más vida útil de la batería™ (MoBL®) en aplicaciones portátiles como teléfonos celulares. El dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía en un 80 por ciento cuando las direcciones no están cambiando. El dispositivo también se puede poner en modo de espera, lo que reduce el consumo de energía en más del 99 por ciento cuando no está seleccionado (activo bajo CE HIGH). Las aplicaciones incluyen automatización industrial.

• Rango VCC de 2.2 a 3.6V, velocidad de 45ns
• Rango operativo ICC desde 3.5mA típico (f = 1MHz, VCC = VCC (típico), TA = 25 °C)
• El ISB2 en espera es 2.5µA típico (VCC=VCC(típico), TA=25 °C)
• Pin Compatible con CY62146DV30
• La corriente activa típica es de 3.5mA a f = 1MHz
• Ampliación de memoria sencilla con funciones de CE baja activa y OE baja activa
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
• La capacitancia de entrada y salida es de 10pF máx. (TA=25 °C, f=1 MHz, VCC=VCC(típico))
• Paquete TSOP II de 44 pines, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C