Imprimir página
CY62138FV30LL-45ZAXI
SRAM, SRAM asíncrona, 2 Mbit, 256K x 8bit, STSOP, 32 Pines, 2.2 V
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
1,140 En Inventario
¿Necesita más?
54 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
1086 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.060 |
| 10+ | $2.860 |
| 25+ | $2.780 |
| 50+ | $2.720 |
| 100+ | $2.210 |
| 250+ | $2.150 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.06
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62138FV30LL-45ZAXI
No. Parte Newark99Y7898
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMSRAM asíncrona
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria2
Configuración de Memoria256K x 8bit
Tensión de Alimentación, Rango0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CISTSOP
No. de Pines32Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.2
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY62138FV30LL-45ZAXI 0 es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada en 256K palabras por 8 bits. Este dispositivo presenta un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar
- Muy alta velocidad: 45ns
- Amplio rango de voltaje de 2.2V a 3.6V
- Pin compatible con CY62138CV25/30/33
- Consumo de corriente en modo de espera ultrabaja: 1µA (típico)
- Potencia activa ultrabaja con corriente activa típica: 1.6mA a f = 1MHz
- Fácil expansión de memoria con funciones CE1, CE2 y OE de nivel activo bajo
- Apagado automático cuando no está seleccionado
- Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
- Tecnología de proceso de 90nm
- Rango de temperatura de -40 °C a 85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
SRAM asíncrona
Configuración Memoria SRAM
0
Configuración de Memoria
256K x 8bit
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
32Pines
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tamaño de la Memoria
0
Densidad de Memoria
2
Tensión de Alimentación, Rango
0
Estuche / Paquete CI
STSOP
Tensión de Alimentación Mín.
2.2
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto