Imprimir página
CY62128ELL-55SXE
SRAM, SRAM asíncrona, 1 Mbit, 128K x 8bit, SOIC, 32 Pines, 4.5 V
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62128ELL-55SXECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark86AK7319
Su número de pieza
344 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.570 |
| 10+ | $6.120 |
| 25+ | $5.930 |
| 50+ | $5.800 |
| 100+ | $5.650 |
| 250+ | $5.460 |
| 500+ | $5.370 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.57
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY62128ELL-55SXECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark86AK7319
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Densidad de Memoria1
Configuración de Memoria128K x 8bit
Estuche / Paquete CISOIC
No. de Pines32Pines
Tensión de Alimentación Mín.4.5
Tensión de Alimentación Máx.5.5
Tensión de Alimentación Nom.5
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.125
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY62128ELL-55SXE es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 128K palabras por 8 bits. Este dispositivo cuenta con un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar más vida ú
- Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
- Rango de VCC de 4.5 a 5.5V, tiempo de ciclo de lectura mínimo de 55ns, tiempo de ciclo de escritura mínimo de 55ns.
- Disipación de potencia típica de 1.3mA (f = 1MHz), ISB2 en espera típica de 1µA
- La capacitancia de entrada es de 10 pF máximo (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = VCC (típico)).
- Capacitancia de salida: 10pF máxima (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = VCC(típ.))
- Rango de corriente de fuga de entrada de -4 a +4µA (55ns, automotriz-E)
- El VCC para retención de datos es de 2V como mínimo
- Corriente de retención de datos máxima de 30µA (VCC = VDR, VIN <gt/> VCC – 0.2V o VIN <lt/> 0.2V)
- Tiempo de recuperación de la operación: mínimo 55ns
- Encapsulado SOIC de 32 pines y 450 milésimas de pulgada, rango de temperatura industrial de -40 °C a +85 °C.
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Configuración de Memoria
128K x 8bit
No. de Pines
32Pines
Tensión de Alimentación Máx.
5.5
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
1
Estuche / Paquete CI
SOIC
Tensión de Alimentación Mín.
4.5
Tensión de Alimentación Nom.
5
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto