CY62128ELL-45ZXIT

CY62128ELL-45ZXIT es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 128K palabras por 8 bits. Este dispositivo cuenta con un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar más vida útil de la batería™ (MoBL) en aplicaciones portátiles. El dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando las direcciones no están cambiando. Colocar el dispositivo en modo de espera reduce el consumo de energía en más del 99 por ciento cuando no está seleccionado (activo-bajo CE1 ALTO o CE2 BAJO). Los ocho pines de entrada y salida (I/O0 a I/O7) se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado (activo bajo CE1 HIGH o CE2 LOW), las salidas están deshabilitadas (OE HIGH) o hay una operación de escritura en progreso (activo bajo CE1 LOW y CE2 HIGH y activo bajo WE LOW). El dispositivo CY62128E es adecuado para interactuar con procesadores que tienen niveles I/P TTL.

• Rango de voltaje de 4.5V a 5.5V, apagado automático cuando se deselecciona
• Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
• Fácil expansión de memoria con funciones CE1, CE2 y OE de nivel activo bajo
• Familia de SRAM MoBL, densidad de 1Mbit, ancho de bus × 8, tecnología de proceso de 90nm
• Velocidad de 45ns, la corriente de fuga de entrada es de +1µA máximo en (GND <lt/> VI<lt/> VCC)
• La corriente de fuga de salida es de +1 µA máximo a (GND <lt/> VO <lt/> VCC)
• La corriente de suministro operativo VCC es de 11mA típica en (f = fmax = 1/tRC)
• La capacitancia de entrada es de 10pF como máximo a (TA = 25 °C, f = 1MHz, VCC = VCC)
• Corriente de apagado automático típico de CE de 1µA: entradas CMOS en (CE1 activo bajoCE1 <gt/> VCC – 0.2V o CE2 <lt/> 0.2V)
• Rango de temperatura industrial desde un paquete TSOP de 32 pines