CY62128ELL-45SXIT

CY62128ELL-45SXIT es una RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada en 128K palabras de 8 bits. Este dispositivo presenta un diseño de circuito avanzado para proporcionar una corriente activa ultrabaja. Esto es ideal para proporcionar más vida útil de la batería (MoBL®) en aplicaciones portátiles. El dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía cuando las direcciones no están cambiando. Colocar el dispositivo en modo de espera reduce el consumo de energía en más del 99 por ciento cuando no está seleccionado (activo-bajo CE1 ALTO o activo-bajo CE2 BAJO). Los ocho pines de entrada y salida (I/O0 a I/O7) se colocan en un estado de alta impedancia cuando el dispositivo está deseleccionado (activo-bajo CE1 ALTO o activo-bajo CE2 BAJO), las salidas están deshabilitadas (activo-bajo OE ALTO) o una operación de escritura está en progreso (activo-bajo CE1 BAJO y activo-bajo CE2 ALTO y activo-bajo WE BAJO).

• Muy alta velocidad: 45ns
• Rango de voltaje de de 4.5V a 5.5V
• Pin Compatible con CY62128B
• La corriente máxima en espera es de 4µA (industrial)
• La corriente activa típica es de 1.3mA a f = 1MHz
• Fácil expansión de memoria con funciones activas-bajas CE1, activas-bajas CE2 y activas-bajas OE
• Apagado automático cuando no está seleccionado
• Semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
• Paquete SOIC de 450-mil y 32 Pin
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C