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CY15B102QN-50SXI
RAM Ferroeléctrica (FRAM), 2 Mbit, 256K x 8bit, SPI, 50 MHz, Alimentación 1.8 V a 3.6 V, SOIC-8
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY15B102QN-50SXICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark62AK5186
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $15.070 |
| 10+ | $13.990 |
| 25+ | $13.550 |
| 50+ | $12.930 |
| 100+ | $12.610 |
| 250+ | $12.420 |
| 500+ | $12.280 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY15B102QN-50SXICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark62AK5186
Hoja de datos técnicos
Densidad de Memoria2
Tamaño de la Memoria0
Configuración de Memoria256K x 8bit
Organización de Memoria0
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesSPI
Frecuencia Max de Reloj50
Frecuencia de Reloj0
Tensión de Alimentación Mín.1.8
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Estuche / Paquete CISOIC
Memoria, Tipo0
No. de Pines8Pines
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY15B102QN-50SXI es una memoria RAM ferroeléctrica (F-RAM) EXCELON™ LP de 2Mb y bajo consumo, modelo CY15B102QN, que emplea un proceso ferroeléctrico avanzado. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escri
- Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 2Mb (F-RAM) organizada lógicamente como 256K × 8
- Tecnología de escritura instantánea no volátil de Infineon, proceso ferroeléctrico avanzado de alta confiabilidad
- SPI rápido, hasta 50MHz de frecuencia, compatible con los modos SPI 0 (0, 0) y 3 (1, 1).
- Sistema de protección contra escritura avanzado, protección por hardware mediante el pin WP de protección contra escritura activo bajo.
- Protección de software mediante instrucción de deshabilitación de escritura (WRDI)
- F-RAM dedicada de 256 bytes para sectores especiales, con funciones dedicadas de escritura y lectura.
- El contenido almacenado puede sobrevivir hasta tres ciclos de soldadura por reflujo estándar.
- Bajo consumo de energía, corriente activa típica de 2.4mA a 40MHz.
- Paquete SOIC (EIAJ) de 8 pines
- Rango de temperatura industrial (-40 °C a +85 °C)
Especificaciones técnicas
Densidad de Memoria
2
Configuración de Memoria
256K x 8bit
Tipo de Interfaz IC
0
Frecuencia Max de Reloj
50
Tensión de Alimentación Mín.
1.8
Estuche / Paquete CI
SOIC
No. de Pines
8Pines
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tamaño de la Memoria
0
Organización de Memoria
0
Interfaces
SPI
Frecuencia de Reloj
0
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Memoria, Tipo
0
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto