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CY14B256LA-SP45XIT
NVSRAM, 32K x 8bit, 256Kbit, Paralelo, 2.7 a 3.6 V, Montaje Superficial, -40°C a 85°C, SSOP-48
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 10+ | $17.530 |
| 25+ | $16.970 |
| 50+ | $16.560 |
| 100+ | $16.160 |
| 250+ | $15.630 |
| 500+ | $15.230 |
| 1000+ | $14.660 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiple: 1
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Información del producto
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Hoja de datos técnicos
Resumen del producto
CY14B256LA-SP45XIT es una memoria RAM estática rápida, con un elemento no volátil en cada celda de memoria. La memoria está organizada en bloques de 32KB de 8 bits cada uno. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, lo qu
- Voltaje de 3.0V, densidad de 256Kb, bus de datos × 8, revisión del chip de primera revisión en blanco – Sin revisión, velocidad de 25ns
- Almacenamiento automático sin intervención del usuario al apagar el equipo con solo un pequeño condensador.
- Almacenamiento en QuantumTrap de elementos no volátiles mediante software, pin del dispositivo y AutoStore al apagar.
- Recuperación a la SRAM iniciada por software o al encender el equipo, ciclos infinitos de lectura, escritura y recuperación.
- 1 millón de ciclos de almacenamiento en QuantumTrap, retención mínima de datos de 20 años.
- El rango de alimentación es de 2.7 a 3.6V; la operación de almacenamiento no volátil es de 1000K como mínimo.
- Condensador de almacenamiento de 68μF (entre el pin VCAP y VSS).
- La corriente VCC promedio es de 70mA como máximo (tRC = 25ns).
- Corriente de VCC en espera máxima de 5mA (activo bajo). CE <gt/> (VCC – 0.2V)
- Paquete SSOP de 48 pines, rango de temperatura industrial de -40 a 85 °C
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B1A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto