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CY14B116N-ZSP25XI
NVSRAM, 16 MBits de, 1M x 16bit, Lectura/Escritura 25ns, Paralelo, 2.7V a 3.6V, TSOP-II-54
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| Cantidad | Precio |
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| 5+ | $170.710 |
| 10+ | $163.710 |
| 25+ | $158.290 |
| 50+ | $154.260 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY14B116N-ZSP25XI
No. Parte Newark62AK5178
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria16
Configuración de Memoria1M x 16bit
Organización de Memoria0
Tiempo de Acceso de Lectura25
Tiempo de Acceso de Escritura25
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Estuche / Paquete CITSOP-II
Memoria, Tipo0
No. de Pines54Pines
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesParallel
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
CY14B116N-ZSP25XI es una memoria SRAM rápida CY14B116N, con un elemento no volátil en cada celda de memoria. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, lo que da como resultado la memoria no volátil más fiable del mundo. L
- Memoria de acceso aleatorio estática no volátil (nvSRAM) de 16Mbit
- ALMACENAMIENTO automático sin manos al apagar con solo un pequeño capacitor
- El almacenamiento en QuantumTrap de elementos no volátiles se inicia mediante software.
- Recuperación a la SRAM iniciada por software o al encender el equipo, alta fiabilidad.
- Ciclos infinitos de lectura, escritura y RECUPERACIÓN, 1 millón de ciclos de ALMACENAMIENTO a QuantumTrap
- Funcionamiento en modo de suspensión, bajo consumo de energía, corriente activa de 75mA a 45ns.
- Rango de temperatura industrial de -40°C a +85°C
- Velocidad de 25ns, velocidad de TSOP II de 54 pines
- Voltaje nominal de 3V, bus de datos ×16
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
1M x 16bit
Tiempo de Acceso de Lectura
25
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Estuche / Paquete CI
TSOP-II
No. de Pines
54Pines
Interfaces
Parallel
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
16
Organización de Memoria
0
Tiempo de Acceso de Escritura
25
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Memoria, Tipo
0
Tipo de Interfaz IC
0
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto