CY14B108N-ZSP25XI

CY14B108N-ZSP25XI es una memoria RAM estática (SRAM) rápida, con un elemento no volátil en cada celda de memoria. La memoria está organizada en 512K palabras de 16 bits cada una. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología Quantum Trap, lo que da como resultado la memoria no volátil más fiable del mundo. La SRAM proporciona ciclos de lectura y escritura infinitos, mientras que los datos no volátiles independientes residen en la celda Quantum Trap de alta fiabilidad. La transferencia de datos desde la memoria SRAM a los elementos no volátiles (la operación de almacenamiento) se realiza automáticamente al apagar el sistema. Al encender el dispositivo, los datos se restauran en la memoria SRAM (la operación RECALL) desde la memoria no volátil. Las operaciones de ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN también están disponibles bajo control de software.

• Almacenamiento automático sin intervención del usuario al apagar el equipo con solo un pequeño condensador.
• LLAMADA a SRAM iniciada por software o encendido
• Ciclos infinitos de lectura, escritura y recuperación, 1 millón de ciclos de almacenamiento para la trampa cuántica.
• Retención de datos durante 20 años, funcionamiento con una sola tensión de 3V +20% y -10%.
• Rango de voltaje de alimentación de 2.7 a 3.6V
• La ​​corriente media de VCC es de 75mA como máximo a (tRC = 20ns).
• La ​​corriente de espera de VCC es de 10mA como máximo a (CE <gt/> (VCC – 0.2V), VIN <lt/> 0.2V o <gt/> (VCC – 0.2V)).
• La capacitancia de entrada es de 14pF como máximo a (TA = 25 °C, f = 1 MHz, VCC = VCC(Típ.)).
• Rango de temperatura ambiente industrial de -40 °C a +85 °C, paquete TSOP de 54 pines