CY14B104LA-ZS25XI

CY14B104LA-ZS25XI es una memoria nvSRAM de 4Mbit (512K × 8) con un elemento no volátil en cada celda de memoria. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, lo que da como resultado la memoria no volátil más fiable del mundo. La memoria SRAM proporciona ciclos infinitos de lectura y escritura, mientras que los datos no volátiles independientes residen en la celda QuantumTrap, de alta fiabilidad. La transferencia de datos desde la memoria SRAM a los elementos no volátiles (la operación de almacenamiento) se realiza automáticamente al apagar el sistema. Al encender el dispositivo, los datos se restauran en la memoria SRAM (la operación RECALL) desde la memoria no volátil. Las operaciones de ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN también están disponibles bajo control de software.

• Voltaje de 3.0V, densidad de 4Mb, bus de datos × 8, primera revisión del chip
• Tiempos de acceso de 20ns, 25ns y 45ns
• Almacenamiento automático sin intervención del usuario al apagar el equipo con solo un pequeño condensador.
• Almacenamiento en QuantumTrap de elementos no volátiles iniciado por software/pin del dispositivo/AutoStore al apagar el dispositivo.
• LLAMADA a SRAM iniciada por software o encendido
• Ciclos infinitos de lectura, escritura y recuperación, 1 millón de ciclos de almacenamiento para la captura cuántica.
• Retención de datos durante 20 años, funcionamiento con una sola tensión de 3V +20% y -10%.
• Rango de voltaje de alimentación de 2.7V a 3.6V
• Corriente VCAP promedio máxima de 5mA durante el ciclo de autoalmacenamiento
• Encapsulado TSOP II de 44 pines, rango de temperatura industrial de -40 a +85 °C