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CY14B101J2-SXI
NVSRAM, 128K x 8bit, 1Mbit, I2C, 2.7 a 3.6 V, Montaje Superficial, -40°C a 85°C, SOIC-8
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $9.980 |
| 25+ | $9.670 |
| 50+ | $8.640 |
| 100+ | $8.320 |
| 250+ | $7.980 |
| 970+ | $7.850 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteCY14B101J2-SXI
No. Parte Newark86AK7312
Hoja de datos técnicos
Densidad de Memoria1
Configuración de Memoria128K x 8bit
Tiempo de Acceso de Lectura-
Tiempo de Acceso de Escritura-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Estuche / Paquete CISOIC
No. de Pines8Pines
InterfacesI2C
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El CY14B101J2-SXI es una memoria nvSRAM de 1Mbit con un elemento no volátil en cada celda de memoria. La memoria está organizada en 128K palabras de 8 bits cada una. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología Quantum Trap, creando la m
- Memoria de acceso aleatorio estática no volátil (nvSRAM) de 1Mbit
- Recuperación a la SRAM iniciada al encender el equipo (Recuperación al encender el equipo) o mediante comando I2C (Recuperación por software).
- Ciclos infinitos de lectura, escritura y RECUPERACIÓN, 1 millón de ciclos de ALMACENAMIENTO para la trampa cuántica.
- Retención mínima de datos: 20 años. Operaciones mínimas de almacenamiento no volátil: 1,000K.
- Rango de alimentación de 2.7 a 3.6V
- Velocidad estándar de la industria de 100kHz y 400kHz; el modo rápido plus tiene una velocidad de 1MHz.
- La alta velocidad es de 3.4MHz, con lecturas y escrituras sin retardo de ciclo.
- Protección de hardware mediante el pin de protección contra escritura y bloqueo por software para 1/4, 1/2 o la totalidad de la matriz.
- Almacenamiento/recuperación no volátil, número de serie de 8 bytes, ID del fabricante e ID del producto, modo de suspensión
- Paquete SOIC de 8 pines, rango de temperatura industrial de -40 a 85 °C
Especificaciones técnicas
Densidad de Memoria
1
Tiempo de Acceso de Lectura
-
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Estuche / Paquete CI
SOIC
Interfaces
I2C
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Configuración de Memoria
128K x 8bit
Tiempo de Acceso de Escritura
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
No. de Pines
8Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto