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BSZ440N10NS3GATMA1.
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ440N10NS3GATMA1.
No. Parte Newark27AC1117
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ440N10NS3GATMA1.
No. Parte Newark27AC1117
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.038
Resistencia de Activación Rds(on)0.038ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd29W
Diseño de TransistorPG-TSDSON
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia29
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.038
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
29W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0.038ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PG-TSDSON
Disipación de Potencia
29
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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