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BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 40 A, 0.0097 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ097N04LSGATMA1Copiar
No. Parte Newark60R2538
También conocido comoBSZ097N04LS G, SP000388296
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.440 |
| 10+ | $0.904 |
| 100+ | $0.594 |
| 500+ | $0.461 |
| 1000+ | $0.418 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ097N04LSGATMA1Copiar
No. Parte Newark60R2538
También conocido comoBSZ097N04LS G, SP000388296
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0097
Resistencia de Activación Rds(on)0.0081ohm
Diseño de TransistorPG-TSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd35W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2
Disipación de Potencia35
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSZ097N04LS G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™, la elección perfecta para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Además, se puede utilizar para una amplia gama de aplicaciones industriales, incluido el convertidor CD a CD de conmutación rápida.
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON)
- Ideal para aplicaciones de conmutación rápida
- Clasificación MSL1
- Mayor eficiencia del sistema
- Aumento de la densidad de potencia
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Nivel lógico
- Resistencia térmica superior
- 100% prueba de avalancha
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0081ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
35W
Disipación de Potencia
35
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0097
Diseño de Transistor
PG-TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BSZ097N04LSGATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto