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BSZ086P03NS3EGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 40 A, 8.6 mohm, TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ086P03NS3EGATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5513
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1832RL
Cinta adhesiva50Y1832
Su número de pieza
Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.230 | $6.15 |
| Total Precio | $6.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.230 |
| 10+ | $0.772 |
| 15+ | $0.706 |
| 25+ | $0.639 |
| 50+ | $0.573 |
| 125+ | $0.508 |
| 250+ | $0.451 |
| 500+ | $0.394 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $0.317 |
| 15000+ | $0.286 |
| 25000+ | $0.280 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ086P03NS3EGATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87AK5513
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1832RL
Cinta adhesiva50Y1832
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.0065ohm
Diseño de TransistorTSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd69W
Disipación de Potencia69
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia Optima's P3 adecuado para la gestión de baterías, aplicaciones de conmutación de carga.
- Canal P sencillo
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Especialmente adecuado para aplicaciones de portátiles (VGS = 25V)
- Protegido contra ESD
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.6
Diseño de Transistor
TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
69W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0065ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
69
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
