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BSZ075N08NS5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 40 A, 0.0075 ohm, TSDSON, Montaje Superficial
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.000 |
| 10+ | $0.952 |
| 25+ | $0.937 |
| 50+ | $0.922 |
| 100+ | $0.907 |
| 250+ | $0.902 |
| 500+ | $0.897 |
| 1000+ | $0.883 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ075N08NS5ATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AC9456
Cinta adhesiva12AC9456
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0075
Resistencia de Activación Rds(on)0.0062ohm
Diseño de TransistorTSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia69
Disipación de Potencia Pd69W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSZ075N08NS5ATMA1
2 productos encontrados
Resumen del producto
Transistor de potencia Optima's™ 5 Ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Canal N, nivel normal
- Probado avalancha 100%
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Mayor confiabilidad de las juntas de soldadura con interconexión de fuente ampliada
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0075
Diseño de Transistor
TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
69
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0062ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
69W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto