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BSZ021N04LS6ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 147 A, 0.0018 ohm, TSDSON-FL, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ021N04LS6ATMA1
No. Parte Newark25AK0245
Rango de ProductoOptiMOS 6 Series
Su número de pieza
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.590 |
| 10+ | $1.400 |
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| 50+ | $1.290 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ021N04LS6ATMA1
No. Parte Newark25AK0245
Rango de ProductoOptiMOS 6 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id147
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1800µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSDSON-FL
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia83
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS 6 Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1800µohm
Diseño de Transistor
TSDSON-FL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 6 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
147
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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