Imprimir página
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS84PH6327XTSA2
No. Parte Newark96K7114
Rango de ProductoSIPMOS Series
También conocido comoBSS84P H6327, SP000929186
Hoja de datos técnicos
1,476,398 En Inventario
¿Necesita más?
302967 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
1173431 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.032 |
| 10+ | $0.032 |
| 25+ | $0.032 |
| 50+ | $0.032 |
| 100+ | $0.032 |
| 250+ | $0.032 |
| 500+ | $0.032 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.03
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS84PH6327XTSA2
No. Parte Newark96K7114
Rango de ProductoSIPMOS Series
También conocido comoBSS84P H6327, SP000929186
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id170
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd360mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia360
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoSIPMOS Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El BSS84P H6327 de Infineon es un transistor de señal pequeña SIPMOS de modo de mejora de nivel lógico de canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. El dispositivo cuenta con clasificaciones dv/dt y Avalanche.
- Calificación de grado automotriz AEC-Q101
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -60V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Corriente continua de drenaje (Id) de -170mA
- Disipación de potencia (Pd) de 360mW
- Rango de temperatura de operación entre -55°C y 150°C
- Baja resistencia al estado de 8ohm a Vgs -4.5V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SIPMOS Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
170
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
360mW
Disipación de Potencia
360
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS84PH6327XTSA2
2 productos encontrados
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65