Imprimir página
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
19 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.355 |
| 10+ | $0.173 |
| 25+ | $0.169 |
| 50+ | $0.166 |
| 100+ | $0.162 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS816NWH6327XTSA1
No. Parte Newark97Y1267
Rango de ProductoOptiMOS 2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.107ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente550
Disipación de Potencia500
Disipación de Potencia Pd500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 2
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSS816NWH6327XTSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- Transistor de señal pequeña Optima's™ -2 de canal N
- Modo mejorado
- Nivel ultra-lógico (1.8V nominal)
- Avalancha clasificada
- Calificado según AEC Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.107ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Disipación de Potencia
500
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
OptiMOS 2
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
550
Disipación de Potencia Pd
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65