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BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS670S2LH6327XTSA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4562
Re-reeling (Rollos a medida)87X8604
Cinta adhesiva87X8604
También conocido comoBSS670S2L H6327, SP000928950
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.31 |
| 10+ | $0.19 |
| 25+ | $0.17 |
| 50+ | $0.14 |
| 100+ | $0.12 |
| 250+ | $0.12 |
| 500+ | $0.12 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 12000+ | $0.07 |
| 24000+ | $0.06 |
| 48000+ | $0.06 |
| 72000+ | $0.06 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS670S2LH6327XTSA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4562
Re-reeling (Rollos a medida)87X8604
Cinta adhesiva87X8604
También conocido comoBSS670S2L H6327, SP000928950
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id540mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.65ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.346ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd360mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia360mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSS670S2L H6327 is a N-channel Small Signal MOSFET qualified according to AEC-Q101 standard.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Logic level
- dV/dt Rated
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.65ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
540mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0.346ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
360mW
Disipación de Potencia
360mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS670S2LH6327XTSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65