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BSS316NH6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS316NH6327XTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4557
Re-reeling (Rollos a medida)87X8603RL
Cinta adhesiva87X8603
También conocido comoBSS316N H6327, SP000928948
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.343 | $0.34 |
| Total Precio | $0.34 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.343 |
| 50+ | $0.209 |
| 100+ | $0.130 |
| 250+ | $0.113 |
| 500+ | $0.096 |
| 1000+ | $0.085 |
| 2500+ | $0.083 |
| 5000+ | $0.082 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 12000+ | $0.046 |
| 24000+ | $0.045 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS316NH6327XTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4557
Re-reeling (Rollos a medida)87X8603RL
Cinta adhesiva87X8603
También conocido comoBSS316N H6327, SP000928948
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.119ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSS316N H6327 is an OptiMOS™2 N-channel logic level enhancement mode Small Signal Transistor, logic level (4.5V rated) and avalanche rated.
- ±20V Gate-source voltage
- 260°C Soldering temperature
- AEC-Q101 Qualified
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.119ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
500mW
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
