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BSS126H6327XTSA2
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 21MA, SOT23
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS126H6327XTSA2
No. Parte Newark47W3357
También conocido comoBSS126 H6327, SP000919334
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.655 |
| 10+ | $0.425 |
| 100+ | $0.287 |
| 500+ | $0.228 |
| 1000+ | $0.209 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$3.28
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS126H6327XTSA2
No. Parte Newark47W3357
También conocido comoBSS126 H6327, SP000919334
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id21mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente500ohm
Resistencia de Activación Rds(on)280ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSS126 H6327 es un transistor de señal pequeña SIPMOS® de modo de agotamiento de canal N con voltaje de fuente de drenaje de 600VDS. Las áreas de aplicación incluyen energía de arranque de la fuente de alimentación, protección contra sobretensión, limitador de corriente de entrada, referencia de voltaje fuera de línea. También apto para aplicaciones de automoción.
- Clasificado dV/dt
- Chapado estaño libre de pb
- Calificado según AEC Q101
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
500ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
21mA
Resistencia de Activación Rds(on)
280ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
500mW
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza BSS126H6327XTSA2
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
