Imprimir página
BSS126H6327XTSA2
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS126H6327XTSA2
No. Parte Newark47W3357
También conocido comoBSS126 H6327, SP000919334
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.87 |
| 10+ | $0.56 |
| 100+ | $0.38 |
| 500+ | $0.30 |
| 1000+ | $0.27 |
| 2500+ | $0.23 |
| 12000+ | $0.19 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$4.36
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSS126H6327XTSA2
No. Parte Newark47W3357
También conocido comoBSS126 H6327, SP000919334
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id21
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente500
Resistencia de Activación Rds(on)280ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSS126 H6327 es un transistor de señal pequeña SIPMOS® de modo de agotamiento de canal N con voltaje de fuente de drenaje de 600VDS. Las áreas de aplicación incluyen energía de arranque de la fuente de alimentación, protección contra sobretensión, limitador de corriente de entrada, referencia de voltaje fuera de línea. También apto para aplicaciones de automoción.
- Clasificado dV/dt
- Chapado estaño libre de pb
- Calificado según AEC Q101
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
500
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
21
Resistencia de Activación Rds(on)
280ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
500mW
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza BSS126H6327XTSA2
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65