Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSR202NL6327HTSA1
No. Parte Newark47W3350
También conocido comoBSR202N L6327, SP000257784
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
1 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.67 |
| 10+ | $0.57 |
| 100+ | $0.42 |
| 500+ | $0.33 |
| 1000+ | $0.26 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.67
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSR202NL6327HTSA1
No. Parte Newark47W3350
También conocido comoBSR202N L6327, SP000257784
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id3.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Resistencia de Activación Rds(on)0.017ohm
Diseño de TransistorSC-59
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSR202N L6327 es un MOSFET de señal pequeña de canal N calificado de acuerdo con el estándar AEC-Q101.
- Modo mejorado
- Avalancha clasificada
- Nivel súper lógico
- Clasificado dV/dt
- Dispositivo verde
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Diseño de Transistor
SC-59
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.017ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
500mW
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto