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BSP135H6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSP135H6327XTSA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1824
Cinta adhesiva50Y1824
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.010 | $2.01 |
| Total Precio | $2.01 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.010 |
| 10+ | $1.290 |
| 25+ | $1.180 |
| 50+ | $1.060 |
| 100+ | $0.947 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSP135H6327XTSA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1824
Cinta adhesiva50Y1824
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id120mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente45ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.4V
Disipación de Potencia1.8W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSP135 H6327 is a N-channel depletion-mode SIPMOS® Small-Signal-Transistor with 600VDS drain source voltage. Areas of application include power supply start-up power, overvoltage protection, in-rush-current limiter, off-line voltage reference. Also suitable for automotive applications.
- dV/dt rated
- Pb-free lead plating
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
45ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
120mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSP135H6327XTSA1
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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