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BSP125H6433XTMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.400 | $1.40 |
| Total Precio | $1.40 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.400 |
| 50+ | $0.915 |
| 100+ | $0.639 |
| 250+ | $0.596 |
| 500+ | $0.487 |
| 1000+ | $0.452 |
| 2500+ | $0.422 |
| 5000+ | $0.414 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.418 |
| 12000+ | $0.384 |
| 20000+ | $0.371 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSP125H6433XTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4500
Re-reeling (Rollos a medida)34AC1381RL
Cinta adhesiva34AC1381
Rango de ProductoSIPMOS
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id120mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente45ohm
Resistencia de Activación Rds(on)25ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9V
Disipación de Potencia1.8W
Disipación de Potencia Pd1.8W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSIPMOS
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia de canal N SIPMOS® de 600 V, 0,12 A en paquete SOT-223 de 4 pines
- Modo mejorado
- Nivel lógico
- Clasificado dv/dt
- Calificado según AEC Q101
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
45ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.8W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
SIPMOS
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120mA
Resistencia de Activación Rds(on)
25ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9V
Disipación de Potencia Pd
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSP125H6433XTMA1
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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