Imprimir página
BSP125H6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 120 mA, 25 ohms, SOT-223, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSP125H6327XTSA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AC0044
Cinta adhesiva12AC0044
Su número de pieza
11 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.122 | $0.12 |
| Total Precio | $0.12 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $1.100 | $0.122 |
| 10+ | $0.719 | $0.122 |
| 25+ | $0.646 | $0.122 |
| 50+ | $0.574 | $0.122 |
| 100+ | $0.501 | $0.122 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSP125H6327XTSA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AC0044
Cinta adhesiva12AC0044
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id120mA
Resistencia de Activación Rds(on)25ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente45ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9V
Disipación de Potencia Pd1.8W
Disipación de Potencia1.8W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSP125H6327XTSA1
3 productos encontrados
Resumen del producto
- Transistor de potencia de canal N SIPMOS® de 600 V, 0,12 A en paquete SOT-223 de 4 pines
- Modo mejorado
- Nivel lógico
- Clasificado dv/dt
- Calificado según AEC Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia de Activación Rds(on)
25ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
1.8W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
45ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9V
Disipación de Potencia
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
