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BSO203SPHXUMA1
MOSFET, P-CH, 20V, 7A, SOIC
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSO203SPHXUMA1
No. Parte Newark49AC0109
Rango de ProductoOptiMOS Series
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSO203SPHXUMA1
No. Parte Newark49AC0109
Rango de ProductoOptiMOS Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
7
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto