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BSD223PH6327XTSA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.469 |
| 10+ | $0.304 |
| 25+ | $0.269 |
| 50+ | $0.232 |
| 100+ | $0.197 |
| 250+ | $0.181 |
| 500+ | $0.165 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 12000+ | $0.089 |
| 24000+ | $0.083 |
| 48000+ | $0.080 |
| 72000+ | $0.078 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSD223PH6327XTSA1
No. Parte Newark12AC9450
Rango de ProductoOptiMOS P
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id390mA
Resistencia de Activación Rds(on)0.7ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2ohm
Diseño de TransistorSOT-363
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900mV
Disipación de Potencia Pd250mW
Disipación de Potencia250mW
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoOptiMOS P
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BSD223PH6327XTSA1
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
- Transistor de señal pequeña de canal P OptiMOS™ -P de 20V y 390mA en paquete SOT-363 de 6 pines
- Canal-P Doble
- Modo mejorado
- Nivel súper lógico (2.5V nominal)
- Avalancha clasificada
- Clasificado dv/dt
- Calificado según AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.7ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
250mW
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
OptiMOS P
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
390mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900mV
Disipación de Potencia
250mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto