Imprimir página
BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 40 A, 0.0265 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
2,976 En Inventario
10,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.750 | $1.75 |
| Total Precio | $1.75 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.750 |
| 50+ | $1.160 |
| 100+ | $0.788 |
| 250+ | $0.720 |
| 500+ | $0.652 |
| 1000+ | $0.575 |
| 2500+ | $0.535 |
| 5000+ | $0.474 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $0.537 |
| 15000+ | $0.495 |
| 25000+ | $0.485 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC265N10LSFGATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo98AK5421
Re-reeling (Rollos a medida)97Y1251RL
Cinta adhesiva97Y1251
Rango de ProductoOptiMOS 2
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0265ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.85V
Disipación de Potencia Pd78W
Disipación de Potencia78W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoOptiMOS 2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia Optima's™ 2 ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Canal N, nivel lógico
- Carga de puerta muy baja x producto R DS (encendido) (FOM)
- RDS de baja resistencia (activado)
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0265ohm
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
78W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.85V
Disipación de Potencia
78W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BSC265N10LSFGATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
