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BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 40 A, 0.0265 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
5,141 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.920 | $1.92 |
| Total Precio | $1.92 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.920 |
| 10+ | $1.210 |
| 25+ | $1.080 |
| 50+ | $0.941 |
| 100+ | $0.806 |
| 250+ | $0.718 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC265N10LSFGATMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97Y1251
Cinta adhesiva97Y1251
Rango de ProductoOptiMOS 2
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0265
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.85
Disipación de Potencia Pd78W
Disipación de Potencia78
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia Optima's™ 2 ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona
- Canal N, nivel lógico
- Carga de puerta muy baja x producto R DS (encendido) (FOM)
- RDS de baja resistencia (activado)
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
78W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0265
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.85
Disipación de Potencia
78
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BSC265N10LSFGATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
