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BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | BSC16DN25NS3GATMA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo86AK4474 Re-reeling (Rollos a medida)50Y1814RL Cinta adhesiva50Y1814 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.350 | $2.35 |
| Total Precio | $2.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.350 |
| 50+ | $1.150 |
| 100+ | $1.040 |
| 250+ | $0.936 |
| 500+ | $0.832 |
| 1000+ | $0.815 |
| 2500+ | $0.799 |
| 5000+ | $0.782 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $1.030 |
| 10000+ | $1.010 |
| 15000+ | $0.989 |
| 25000+ | $0.968 |
| 50000+ | $0.948 |
| 125000+ | $0.927 |
nota de línea
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | BSC16DN25NS3GATMA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo86AK4474 Re-reeling (Rollos a medida)50Y1814RL Cinta adhesiva50Y1814 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 250V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 10.9A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.165ohm |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.146ohm |
| Diseño de Transistor | TDSON |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3V |
| Disipación de Potencia | 62.5W |
| Disipación de Potencia Pd | 62.5W |
| No. de Pines | 8Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | - |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Resumen del producto
The BSC16DN25NS3 G is a N-channel Power MOSFET produce based on OptiMOS™ leading benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM and MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest Power density
- Lowest board space consumption
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | N Channel |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 250V |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.165ohm |
| Diseño de Transistor | TDSON |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia | 62.5W |
| No. de Pines | 8Pines |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 10.9A |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.146ohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 3V |
| Disipación de Potencia Pd | 62.5W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |