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BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 10.9 A, 0.165 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC16DN25NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4474
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1814RL
Cinta adhesiva50Y1814
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.570 | $2.57 |
| Total Precio | $2.57 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.570 |
| 50+ | $1.650 |
| 100+ | $1.130 |
| 250+ | $1.020 |
| 500+ | $0.903 |
| 1000+ | $0.831 |
| 2500+ | $0.814 |
| 5000+ | $0.798 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $0.748 |
| 10000+ | $0.720 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC16DN25NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4474
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1814RL
Cinta adhesiva50Y1814
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id10.9A
Resistencia de Activación Rds(on)0.146ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.165ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd62.5W
Disipación de Potencia62.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSC16DN25NS3 G is a N-channel Power MOSFET produce based on OptiMOS™ leading benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM and MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest Power density
- Lowest board space consumption
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.146ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
62.5W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.165ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
62.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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