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BSC13DN30NSFDATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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Opciones de embalaje
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC13DN30NSFDATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)24AC4561
Cinta adhesiva24AC4561
Rango de ProductoOptiMOS
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds300
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.13ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia150
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoOptiMOS
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BSC13DN30NSFDATMA1 from Infineon is a 300V OptiMOST™3 N-channel power MOSFET in 8 pin TDSON package. This new OptiMOS™ Fast Diode (FD) Infineon’s latest generation power MOSFETs are optimized for body diode hard commutation, hard switching behaviour, industry’s lowest Rds(on), Qg and Qrr, highest system reliability, system cost reduction, highest efficiency and power density and easy to design products. It is a perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control for 48V to 110V systems and DC to AC inverter.
- Excellent gate charge x RDS(on) product (figure of merit)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Drain source voltage VDS is 300V
- Maximum RDS(on) is 130mohm, continuous drain current ID is 16A
- Operating temperature range from -55°C to 175°C
- Power dissipation is 150W
- Maximum gate source voltage VGS is 20V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
300
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.13ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
