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BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC123N08NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark60R2515
También conocido comoBSC123N08NS3 G, SP000443916
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.800 |
| 10+ | $1.140 |
| 100+ | $0.764 |
| 500+ | $0.602 |
| 1000+ | $0.590 |
| 2500+ | $0.578 |
| 10000+ | $0.566 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC123N08NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark60R2515
También conocido comoBSC123N08NS3 G, SP000443916
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0123
Resistencia de Activación Rds(on)0.0103ohm
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd66W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia66
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSC123N08NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N con tecnología OptiMOS™ de referencia líder en rendimiento. Es el líder del mercado en soluciones altamente eficientes para aplicaciones de generación de energía, suministro de energía y consumo de energía.
- Tecnología optimizada para convertidores de CD a CD
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Resistencia térmica superior
- Refrigeración de doble cara
- Inductancia parásita baja
- Perfil bajo
- Nivel normal
- Probado avalancha 100%
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
55
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0103ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
66W
Disipación de Potencia
66
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0123
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto