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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC120N12LSGATMA1Copiar
No. Parte Newark91AH5815
Rango de ProductoOptiMOS 2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120V
Intensidad Drenador Continua Id68A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9800µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.85V
Disipación de Potencia114W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoOptiMOS 2
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
114W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
68A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.85V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto