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BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 11 mohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC110N06NS3GATMA1
No. Parte Newark47W3312
También conocido comoBSC110N06NS3 G, SP000453668
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC110N06NS3GATMA1
No. Parte Newark47W3312
También conocido comoBSC110N06NS3 G, SP000453668
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.009ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia50
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSC110N06NS3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™, la elección perfecta para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Se puede utilizar para una amplia gama de aplicaciones industriales, incluido el microinversor solar y el convertidor CD a CD de conmutación rápida.
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON)
- Ideal para aplicaciones de conmutación rápida
- Clasificación MSL1
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Tecnología optimizada para convertidores de CD a CD
- Resistencia térmica superior
- Nivel normal
- 100% prueba de avalancha
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.009ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Disipación de Potencia Pd
50W
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSC110N06NS3GATMA1
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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