Imprimir página
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC109N10NS3GATMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47Y7998
Cinta adhesiva47Y7998
Su número de pieza
5 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.950 | $1.95 |
| Total Precio | $1.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.950 |
| 10+ | $1.230 |
| 25+ | $1.130 |
| 50+ | $1.030 |
| 100+ | $0.935 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC109N10NS3GATMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47Y7998
Cinta adhesiva47Y7998
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id63A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0098ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0109ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia Pd78W
Disipación de Potencia78W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia OptiMOS™ 3
- Carga de puerta muy baja para aplicaciones de alta frecuencia
- Optimizado para conversión CD-CD
- Canal-N, nível nominal
- Excelente carga de puerta x producto RDS (on) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia (activado)
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0098ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
78W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
63A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0109ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Disipación de Potencia
78W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza BSC109N10NS3GATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
