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BSC0921NDIATMA1
MOSFET Doble, Canal N, 30 V, 40 A, 3.9 ohms, TISON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC0921NDIATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC8337
Cinta adhesiva13AC8337
Rango de ProductoOptiMOS Series
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411 En Inventario
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.540 |
| 10+ | $1.220 |
| 25+ | $1.170 |
| 50+ | $1.090 |
| 100+ | $1.010 |
| 250+ | $1.000 |
| 500+ | $0.914 |
| 1000+ | $0.854 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC0921NDIATMA1
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC8337
Cinta adhesiva13AC8337
Rango de ProductoOptiMOS Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Intensidad Drenador Continua Id40A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N40
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P40
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0039
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0039
Diseño de TransistorTISON
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.5
Disipación de Potencia de Canal P2.5
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET OptiMOS™ de doble canal N
- Optimizado para convertidor reductor de alto rendimiento
- Nivel lógico (4.5V nominal)
- Canal-N
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
40
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0039
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.5
Rango de Producto
OptiMOS Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
40
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0039
Diseño de Transistor
TISON
Disipación de Potencia de Canal N
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto