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BSC084P03NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 78.6 A, 0.0084 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC084P03NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AC9446RL
Cinta adhesiva12AC9446
Rango de ProductoOptiMOS P3
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3,149 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.760 | $1.76 |
| Total Precio | $1.76 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.760 |
| 50+ | $0.834 |
| 100+ | $0.744 |
| 250+ | $0.665 |
| 500+ | $0.586 |
| 1000+ | $0.574 |
| 2500+ | $0.563 |
| 5000+ | $0.551 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC084P03NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AC9446RL
Cinta adhesiva12AC9446
Rango de ProductoOptiMOS P3
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id78.6
Resistencia de Activación Rds(on)0.0061ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0084
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia69
Disipación de Potencia Pd69W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS P3
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia Optima's™ P3
- Canal P único, modo de mejora
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Probado avalancha 100%
- Especialmente adecuado para aplicaciones de portátiles (Vgs = 25V)
- Las aplicaciones incluyen administración de batería y conmutación de carga
- Nivel normal, nivel lógico o nivel superlógico
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0061ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
69
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS P3
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
78.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0084
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia Pd
69W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto