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BSC084P03NS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 78.6 A, 0.0084 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC084P03NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AC9446RL
Cinta adhesiva12AC9446
Rango de ProductoOptiMOS P3
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3,276 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.720 | $1.72 |
| Total Precio | $1.72 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.720 |
| 50+ | $0.818 |
| 100+ | $0.729 |
| 250+ | $0.652 |
| 500+ | $0.574 |
| 1000+ | $0.563 |
| 2500+ | $0.551 |
| 5000+ | $0.540 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC084P03NS3GATMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)12AC9446RL
Cinta adhesiva12AC9446
Rango de ProductoOptiMOS P3
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id78.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0084
Resistencia de Activación Rds(on)0.0061ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia Pd69W
Disipación de Potencia69
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS P3
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- Transistor de potencia Optima's™ P3
- Canal P único, modo de mejora
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Probado avalancha 100%
- Especialmente adecuado para aplicaciones de portátiles (Vgs = 25V)
- Las aplicaciones incluyen administración de batería y conmutación de carga
- Nivel normal, nivel lógico o nivel superlógico
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0084
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
69W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS P3
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
78.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0061ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia
69
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto