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BSC067N06LS3GATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 0.0067 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC067N06LS3GATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo98AK5417
Re-reeling (Rollos a medida)47W3309
Cinta adhesiva47W3309
También conocido comoBSC067N06LS3 G, SP000451084
Su número de pieza
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.020 | $10.10 |
| Total Precio | $10.10 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.020 |
| 10+ | $1.290 |
| 25+ | $1.150 |
| 50+ | $1.010 |
| 100+ | $0.868 |
| 250+ | $0.779 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5000+ | $0.712 |
| 10000+ | $0.695 |
| 20000+ | $0.689 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC067N06LS3GATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo98AK5417
Re-reeling (Rollos a medida)47W3309
Cinta adhesiva47W3309
También conocido comoBSC067N06LS3 G, SP000451084
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0067
Resistencia de Activación Rds(on)0.0054ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd69W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia69W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSC067N06LS3 G es un MOSFET de potencia de canal N de 60 V optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS) como las que se encuentran en servidores, computadoras de escritorio y cargadores de tabletas. La carga de la puerta y la carga de salida drásticamente reducidas permiten una alta eficiencia del sistema y una densidad de potencia. El MOSFET de potencia OptiMOS ™ es ideal para conmutación de alta frecuencia y convertidores CD-CD.
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Ahorro de espacio
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Resistencia térmica superior
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0067
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Pd
69W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0054ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
69W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSC067N06LS3GATMA1
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto