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BSC054N04NSGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 81 A, 5.4 mohm, PG-TSDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC054N04NSGATMA1
No. Parte Newark60R2496
También conocido comoBSC054N04NS G , SP000354808
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.800 |
| 10+ | $1.170 |
| 100+ | $0.817 |
| 500+ | $0.663 |
| 1000+ | $0.613 |
| 2500+ | $0.572 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC054N04NSGATMA1
No. Parte Newark60R2496
También conocido comoBSC054N04NS G , SP000354808
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id81
Resistencia de Activación Rds(on)0.0045ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5.4
Diseño de TransistorPG-TDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd57W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia57
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSC054N04NS G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™, la elección perfecta para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Además, se puede utilizar para una amplia gama de aplicaciones industriales, incluido el convertidor CD a CD de conmutación rápida.
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON)
- Ideal para aplicaciones de conmutación rápida
- Clasificación MSL1
- Mayor eficiencia del sistema
- Se requiere menos paralelismo
- Aumento de la densidad de potencia
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Nivel lógico
- Resistencia térmica superior
- 100% prueba de avalancha
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
81
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5.4
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
57
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0045ohm
Diseño de Transistor
PG-TDSON
Disipación de Potencia Pd
57W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSC054N04NSGATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto