Imprimir página
BSC050NE2LSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 25 V, 58 A, 0.005 ohm, TDSON, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC050NE2LSATMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47Y7994
Cinta adhesiva47Y7994
Su número de pieza
81 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 8 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.040 | $1.04 |
| Total Precio | $1.04 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.040 |
| 10+ | $0.712 |
| 25+ | $0.634 |
| 50+ | $0.556 |
| 100+ | $0.479 |
| 250+ | $0.426 |
| 500+ | $0.374 |
| 1000+ | $0.319 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC050NE2LSATMA1Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47Y7994
Cinta adhesiva47Y7994
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id58
Resistencia de Activación Rds(on)0.0042ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5000µohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia28
Disipación de Potencia Pd28W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSC050NE2LS is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator applications. It is available in half-bridge configuration. It minimizes EMI in the system making external snubber networks obsolete and the products easy to design-in.
- Reduces the number of phases in multiphase converters
- Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions
- Save space with smallest packages like CanPAK™
- Optimized for high performance buck converter
- Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0042ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
28
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
58
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia Pd
28W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto