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BSC034N10LS5ATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 100 A, 0.0034 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.410 |
| 10+ | $2.950 |
| 25+ | $2.780 |
| 50+ | $2.670 |
| 100+ | $2.560 |
| 250+ | $2.420 |
| 500+ | $2.320 |
| 1000+ | $2.240 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC034N10LS5ATMA1
No. Parte Newark42AH1619
Rango de ProductoOptiMOS 5
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0034
Resistencia de Activación Rds(on)0.0028ohm
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia156
Disipación de Potencia Pd156W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoOptiMOS 5
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0034
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
156
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
OptiMOS 5
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
Disipación de Potencia Pd
156W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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