Imprimir página
BSC030N03MSGATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 0.003 ohm, PG-TDSON, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC030N03MSGATMA1
No. Parte Newark79X1330
También conocido comoBSC030N03MS G, SP000311506
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
3,009 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.890 |
| 10+ | $1.170 |
| 25+ | $1.030 |
| 50+ | $0.902 |
| 100+ | $0.772 |
| 250+ | $0.694 |
| 500+ | $0.615 |
| 1000+ | $0.523 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC030N03MSGATMA1
No. Parte Newark79X1330
También conocido comoBSC030N03MS G, SP000311506
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0.0025ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.003
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd69W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia69
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSC030N03MS G es un Power-MOSFET OptiMOS™ 3 de la serie M optimizado para aplicaciones de controlador de 5V.
- FOMSW bajo para SMPS de alta frecuencia
- 100% prueba de avalancha
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON) @ VGS = 4.5V
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Resistencia térmica superior
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0025ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.003
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
69W
Disipación de Potencia
69
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza BSC030N03MSGATMA1
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto